SK海力士8月6日AI盛会：揭晓12层HBM3E内存与321层NAND闪存创新成果

SK海力士官方于8月1日通过博客平台宣布，其将参与8月6日至8日在美国内华达州圣克拉拉市举办的2024年全球半导体存储器峰会，并在会上展出多款创新的下一代存储解决方案。此番亮相预计将加深行业对SK海力士技术领导力的认识，并促进存储技术的前沿交流。

未来存储器和存储峰会（Future Memory and Storage）简介

前身是主要面向 NAND 供应商的闪存峰会（Flash Memory Summit），在人工智能技术日益受到关注的背景下，今年重新命名为未来存储器和存储峰会（Future Memory and Storage），以邀请 DRAM 和存储供应商等更多参与者。

新产品

SK 海力士去年在 FMS 活动中宣布开发出业界最高的 321 层 NAND，今年也将展示诸多 AI 领域的新产品，包括 12 层 HBM3E（预计在第三季度量产）和 321-high NAND（明年上半年开始出货）。

从左上开始，顺时针依次为 321 层 NAND 闪存、ZUFS 4.0、PS1010 和 PCB01

从左上开始，顺时针依次为 LPDDR5T、HBM3E、CMS 2.0 和 GDDR6-AiM

演讲

SK hynix HBM 工艺集成主管 Unoh Kwon 和 SSD PMO 主管 Chunsung Kim 将在活动开幕式上发表题为《人工智能时代的 AI 内存和存储解决方案领导力与愿景》的主题演讲。

两位高管将分别介绍公司的 DRAM 和 NAND 产品组合，以及为实现人工智能而优化的人工智能内存解决方案。

SK海力士携手台积电，N5版基础裸片助力HBM4内存效能飞跃

7月17日消息，全球领先的半导体制造商SK海力士宣布了一项重要的技术决策，将采用台积电（TSMC）的N5（5纳米）工艺技术来生产下一代高带宽内存（High Bandwidth Memory，简称HBM4）的基础裸片（Base Die）。

新一代 HBM 内存 HBM4 的 JEDEC 标准即将定案。而根据IT之家此前报道，SK 海力士的首批 HBM4 产品（12 层堆叠版）有望于 2025 年下半年推出。

SK 海力士和台积电双方于今年 4 月签署了合作谅解备忘录，宣布将就 HBM 内存的基础裸片加强合作。

而台积电在 2024 年技术研讨会欧洲场上表示，该企业准备了两款 HBM4 内存基础裸片，分别为面向价格敏感性产品的 N12FFC+ 版和面向高性能应用的 N5 版。

其中 N5 版基础裸片面积仅有 N12FFC+ 版的 39%，同功率下逻辑电路频率可达 N12FFC+ 版的 155%，同频率功耗则仅有 35%。

N5 工艺版基础裸片可实现 6~9μm 级别的互联间距，在目前流行的 2.5D 式封装集成外还能支持 HBM4 内存同逻辑处理器的 3D 垂直集成。这一纵向结构可提供更大的内存带宽，将深远改变 HPC&AI 芯片生态。

HBM 内存基础裸片转由逻辑晶圆厂生产也是半导体制造两大领域走向融合的最好证明。韩媒在报道中提到，SK 海力士和三星电子均正为其 HBM 内存团队补充逻辑设计人才。

SK海力士中国公司恢复正常经营状态，顺利退出市场监管异常名单

近日消息，SK海力士半导体（中国）有限公司在经历了短暂的经营状态异常后，已于7月15日正式被当地市场监管部门移出了经营异常名录。

此前，由于未能按时提交年度报告，该公司于7月初被列入了异常经营企业名单。不过，在及时履行了相关义务并提交了信用修复申请之后，SK海力士迅速恢复了其正常的企业运营状态，标志着其在中国市场的业务活动重新步入正轨。

报道称，SK 海力士于今年 7 月 5 日被列入异常经营名录，经核查，该公司已履行相关义务，在 7 月 15 日提出信用修复申请后，无锡国家高新技术产业开发区市场监管局当日将其移出经营异常名录。

查询获悉，SK 海力士半导体（中国）有限公司于 2005 年 4 月在江苏无锡投资设立，是韩国 SK 海力士株式会社的最大规模海外生产基地。该公司主要生产 DRAM，产品应用范围涉及服务器、智能手机、计算机、消费电子等领域。

今年 5 月消息称，SK 海力士子公司 SK 海力士系统集成电路拟向无锡产业发展集团有限公司转让所持有的 SK 海力士系统集成电路（无锡）有限公司 49.9% 股权。

SK 海力士系统集成电路于 2018 年从母公司独立，主要从事 8 英寸晶圆成熟制程代工业务，产品覆盖车用 PMIC、电视 DDI 等类别。韩媒认为，SK 海力士系统集成电路此举是为了加强无锡晶圆厂同中国市场的联系，扩大在中业务。

SK海力士推进中国无锡半导体工厂转型，启用第四代10纳米工艺提升产能

据了解，韩国芯片制造巨头SK海力士正在考虑打破美国对华极紫外（EUV）光刻机出口相关限制，以提升其在中国的半导体工厂的技术水平。

SK海力士计划今年将其中国无锡工厂的部分DRAM生产设备提升至第四代10纳米工艺。然而，对于“无锡工厂将进行技术升级”的消息，SK海力士方面表示“无法确认工厂的具体运营计划”。

这一举动被视为，随着半导体市场的复苏以及中国高性能半导体制造能力的提升，一些韩国芯片企业正在采取一切可以使用的方法来提高在华工厂的制造工艺水平。

据了解，无锡工厂是SK海力士的核心生产基地，其产量约占公司DRAM总产量的40%。目前，无锡工厂正在生产两款较旧的10纳米DRAM。

报道认为，SK海力士对无锡工厂进行技术升级并不容易，因为自2019年以来，美国为阻止中国半导体产业崛起，单方面限制了制造尖端半导体必需的EUV光刻机出口中国。

尽管如此，随着全球半导体市场进入复苏阶段，SK海力士认为高性能芯片产能扩张已经刻不容缓，需要10纳米级第四代DRAM或更高版本产品来维持其市场份额。

媒体分析称，SK海力士的这一举动反映了全球半导体市场的变化和中国半导体产业的快速发展。在全球半导体市场复苏的背景下，中国半导体产业的提升无疑将为全球半导体产业的发展注入新的活力。