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弗雷迪·威廉姆斯在CRT存储设备上申请专利

发布时间：2024-08-05 11:07:31 作者：阅读：2次

1946年12月11日，弗雷迪·威廉姆斯在他的阴极射线管（CRT）存储设备上申请了专利。后来被称为威廉姆斯管的装置，或者更恰当地说是威廉姆斯-基尔本管。该管只存储128个40位字，是第一种实用的随机存取存储器。

弗雷迪·威廉姆斯于1946年12月11日在他的阴极射线管（CRT）存储设备上申请了专利

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阴极射线是低压气体放电过程出现的一种奇特现象。早在1858年就由德国物理学家普吕克尔在观察放电管中的放电现象时发现。当时他看到正对阴极的管壁发出绿色的荧光。

阴极射线管，是一种能减少阴极加热器耗电的阴极射线管。其中，旁热式阴极结构体，具备热电子发射物质层的金属基底；在一端的部位上设有保持基底金属，在内部还设有收纳加热器游离电子的管状套筒；加热器的主要部分筒径较大，加热器腿部一侧的筒径较小，而且也是支承套筒的异形支承体。

阴极射线管（CRT）是由英国人威廉·克鲁克斯首创，可以发出射线，这种阴极射线管被称为克鲁克斯管。1946年，弗雷迪·威廉姆斯在阴极射线管的基础上创造除了阴极射线管储存器，并在年底为他的阴极射线管（CRT）存储设备申请了专利。

重磅！首次揭晓！查尔斯·西让你瞬间追溯到划时代突破的相变存储器(PRAM)发布

查尔斯·西(Charles Sie)在爱荷华州立大学发表了一篇论文，描述并演示了相变存储器(PRAM)。尽管PRAM一直没有商业化，但像三星这样的公司仍在开发它。

1969年，查尔斯·西(Charles Sie)发表了相变存储器(PRAM)论文，并进行了演示

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相变存储器的基本存储原理是在器件单元上施加不同宽度和高度的电压或电流脉冲信号，使相变材料发生物理相态的变化，即晶态（低阻态）和非晶态（高阻态）之间发生可逆相变互相转换，从而实现信息的写入（“１”）和擦除（“０”）操作。

相互转换过程包含了晶态到非晶态的非晶化转变以及非晶态到晶态的晶化转变两个过程，其中前者被称为非晶化过程，后者被称为晶化过程。然后依靠测量对比两个物理相态间的电阻差异来实现信息的读出，这种非破坏性的读取过程，能够确保准确地读出器件单元中已存储的信息。

查尔斯·西(Charles Sie)在爱荷华州立大学发表了一篇论文，描述并演示了相变存储器(PRAM)。尽管PRAM一直没有商业化，但像三星这样的公司仍在开发它。

1969年，查尔斯·西(Charles Sie)发表了相变存储器(PRAM)论文，并进行了演示

DDR4 SDRAM计划：即将开始实行！

DDR4 SDRAM计划于2014年9月开始实行。

2014年9月，DDR4 SDRAM计划开始实行

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DDR4内存是新一代的内存规格。2011年1月4日，三星电子完成史上第一条DDR4规格的内存。

DDR4相比DDR3最大的区别有三点：16bit预取机制（DDR3为8bit），同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍；更可靠的传输规范，数据可靠性进一步提升；工作电压降为1.2V，更节能。

DDR4内存的标准规范仍未最终定夺。三星这条样品属于UDIMM类型，容量为2GB，运行电压只有1.2V，工作频率为2133MHz，而且凭借新的电路架构最高可以达到3200MHz。相比之下，DDR3内存的标准频率最高仅为1600MHz，运行电压一般为1.5V，节能版也有1.35V。仅此一点，DDR4内存就可以节能最多40%。

2014年9月，DDR4 SDRAM计划开始实行

弗雷迪·威廉姆斯与汤姆·基尔伯恩成功打造历史性的威廉姆斯－基尔伯恩管

1947年弗雷迪·威廉姆斯（Freddie Williams）与汤姆·基尔伯恩(Tom Kilburn）开发了威廉姆斯－基尔伯恩管。

弗雷迪·威廉姆斯与汤姆·基尔伯恩于1947年开发了威廉姆斯－基尔伯恩管

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威廉姆斯管（英语：Williams tube），全称威廉姆斯－基尔伯恩管（英语：Williams-Kilburn tube），一种由阴极射线管(CRT)构成的储存装置。名称源自开发者弗雷迪·威廉姆斯（Freddie Williams）与汤姆·基尔伯恩(Tom Kilburn）。
电子在撞击阴极射线管的荧光面时发光。作为伴生现象，撞击部位周围的电荷将发生细微变化。阴极射线管可以用作储存装置，正是通过测定这一变化而实现的。由于电荷会迅速消失，运行时必须反复进行电子撞击。

弗雷迪·威廉姆斯与汤姆·基尔伯恩于1947年开发了威廉姆斯－基尔伯恩管