SK海力士年内推进HBM4内存流片：携手英伟达、AMD，沿用1b nm DRAM技术

近日消息，SK海力士宣布了一项重要进展，计划于2024年内为图形处理巨头英伟达和AMD分别推出为其定制的HBM4内存芯片，这标志着高性能显存技术的再次飞跃，将为双方的高端显卡产品带来显著的性能提升，进一步推动人工智能与高性能计算领域的发展。

消息人士向韩媒表示，SK 海力士已为这两家主要 HBM 内存客户组建了 HBM4 内存开发团队。英伟达用 HBM4 将率先于今年 10 月进行流片，而向 AMD 供应的 HBM4 也将在今年底流片。

报道还表示，虽然三星电子计划在 HBM4 内存上直接应用 1c nm DRAM 以提升能效竞争力，但 SK 海力士为稳定起见将在 HBM4 沿用已在 HBM3E 中得到检验的 1b nm DRAM 裸片。

而在 HBM4 的基础裸片（Base Die，也称逻辑芯片、接口芯片）部分，SK 海力士将采用台积电提供的 N12FFC+ 平价产品和 N5 高性能产品。

此外韩媒提到，英伟达预计于 2026 年发布的后 Blackwell 世代高性能 AI GPU“Rubin”将使用 12 层堆叠的 HBM4 内存。SK 海力士在 HBM 领域的主要竞争者三星电子也将在 2024 年内启动 HBM4 内存的流片。

SK海力士宣布9月末启动12层HBM3E内存大规模生产，强化市场领导地位

近日消息，SK海力士社长金柱善在SEMICON大师论坛上发表了重要演讲。他强调，公司目前的8层HBM3E存储解决方案已稳居市场领导地位。更为引人注目的是，SK海力士宣布将于本月内正式启动其下一代12层HBM3E产品的量产进程，这一举措无疑将进一步巩固其在高速内存技术领域的前沿地位。

SK 海力士在 HBM 产品拥有全球最高的市占率，HBM3E 也是现今市面上最具主导地位的产品，预计本月就会推出 12 层堆叠的 HBM3E 产品，以因应 AI 服务器的庞大需求。

此外，SK 海力士也正在与台积电合作进行下一代 HBM4 的研发，将配合客户量产时间进行供货，预计将是首款在基础裸晶（Basedie）芯片上应用逻辑制程工艺生产的产品。

据此前报道，目前 8 层和 12 层 HBM3E 支持 36GB 容量，每秒可处理超过 1.18TB 数据，而 HBM4 将提供 12 层和 16 层产品，最大容量为 48GB，数据处理速度可超过每秒 1.65TB。