时光飞逝，DDR3 SDRAM标准崭新施行

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CWD是作为写入延迟之用，Reset提供了超省电功能的命令，可以让DDR3 SDRAM内存颗粒电路停止运作、进入超省电待命模式，ZQ则是一个新增的终端电阻校准功能，新增这个线路脚位提供了ODCE（On Die Calibration Engine）用来校准ODT（On Die Termination）内部终端电阻，新增了SRT（Self-Reflash Temperature）可编程化温度控制内存时脉功能，SRT的加入让内存颗粒在温度、时脉和电源管理上进行优化。

可以说在内存内，就做了电源管理的功能，同时让内存颗粒的稳定度也大为提升，确保内存颗粒不致于工作时脉过高导致烧毁的状况，同时DDR3 SDRAM还加入PASR（Partial Array Self-Refresh）局部Bank刷新的功能，可以说针对整个内存Bank做更有效的资料读写以达到省电功效。

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磁芯存储器也称作铁氧体磁芯存储器（ferrite-core memory），是一种非易失性存储器（断电后存储的信息不会丢失），磁带、磁盘等磁存储设备基于同样的存储原理。

但是，对磁芯进行存取操作时无需旋转机械的帮助，其中存储的信息可以通过寻址线立即获得，存取速度自然要快很多，因此非常适合作内存使用。今天的半导体存储器芯片的存取管理模式与磁芯存储器完全相同，RAM（Random Access Memory，随机存取存储器）一词正是为了说明磁芯存储器的特性才出现的。