SK海力士豪掷9.4万亿韩元，龙仁半导体集群首厂破土在即，蓄势待发

7月26日消息，SK海力士于今日宣布，其董事会已决议通过一项重大投资计划，拟投入约9.4万亿韩元（折合人民币约为491.62亿元），用以兴建位于韩国龙仁的半导体产业集群中的首个制造工厂（Fab）及配套业务设施。此举彰显了SK海力士对扩大先进半导体产能的坚定承诺。

SK 海力士表示：“公司将按照原定日程，将于明年 3 月开工建设龙仁集群的首座厂房，并于 2027 年 5 月竣工。”

龙仁半导体集群位于韩国京畿道龙仁市远三面，其占地面积达 415 万平方米，公司正在进行用地工程和基础设施构建工程。SK 海力士将在此建造生产新一代半导体产品的四座先进厂房，携手全球 50 多家材料、零部件和设备企业构建半导体合作园区。

SK 海力士表示，公司在首座厂房的建设完成后，也将依次推进剩余的三座厂房建设，将龙仁集群发展成为“全球人工智能半导体生产据点”。

此次决议的投资额包含了集群运营初期所需的各种建设费用，分别为首座厂房、配套设施、办公楼、服务设施等。考虑到为准备厂房建设的设计所需时间和计划在 2028 年下半年竣工的办公楼等因素，公司将投资期间核定为 2024 年 8 月至 2028 年年末。

公司计划在龙仁首座工厂生产以 HBM 为代表的面向 AI 的存储器和新一代 DRAM 产品，也将根据竣工时的市场需求，做好生产另外产品的准备。

与此同时，SK 海力士计划在首座厂房内建造“迷你工厂”（具备 300 毫米晶圆工艺设备，可以验证半导体材料、零部件、设备等的研究设施），以支援韩国国内的材料、零部件和设备公司在其进行技术研发、验证和评估。公司将在迷你工厂提供与实际生产现场相似的环境，以此有力支持合作伙伴提升自研技术的完成度。

SK海力士HBM内存：70%年增长率背后的消费级市场潜力揭秘

7月5日消息，SK海力士的副总裁及封装技术部门主管文奇郁（Moon Ki-ill）在4日于首尔召开的会议上透露，HBM内存的预计年均复合增长率（CAGR）将会高达70%。这一发言凸显了SK海力士对HBM市场未来发展的高度乐观态度及其强劲的增长潜力。

Moon Ki-ill 表示，市场研究机构 TrendForce 集邦咨询曾认为 2021~2027 年 HBM 内存市场的 CAGR 将为 26.4%，但下游客户的需求远远超过了第三方机构的预期。

根据以往报道，以 SK 海力士为首的三大 DRAM 企业已基本售罄 2025 年的 HBM 供应。

Moon Ki-ill 还提到，HBM 目前主要用于 AI 加速器，但未来价格下降后有望渗透到以 PC 和移动设备为代表的消费级市场。

AMD 曾在 GCN 架构世代推出过数款搭载 HBM 内存的高端消费级显卡（如 RX Vega 64、R9 Fury X 等），但那之后 HBM 就退出了消费级的视野。

Moon Ki-ill 称：“SK 海力士正在为 16 和 20 层堆叠的 HBM 内存生产准备混合键合技术，这将使它们在价格上更具竞争力。”

SK海力士布局2.5D先进封装技术，强化HBM内存市场主导地位

7月17日消息，全球领先的存储解决方案提供商SK海力士与封装测试外包(OSAT)行业的领军企业Amkor展开深度合作洽谈，聚焦于先进硅中介层(Si Interposer)技术的联合开发。

SK 海力士将向 Amkor 一并供应 HBM 内存和 2.5D 封装用硅中介层，Amkor 则负责利用硅中介层实现客户逻辑芯片与 SK 海力士 HBM 内存的集成。

SK 海力士官方人士向韩媒回应称：“（谈判）目前仍处于早期阶段。我们正在进行各种审查，以提供中介层来满足客户的需求。”

硅中介层是性能优秀的 HBM 内存集成中介材料，被视为 2.5D 封装的核心。

韩媒表示，市面上仅有四家企业（台积电、三星电子、英特尔、联电）拥有制备硅中介层的能力，而前三家公司也因此成为了专业先进封装的领军者。

SK 海力士如果能实现硅中介层的量产，就意味着其能提供“HBM + 硅中介层”的成套供应，不再完全受台积电 CoWoS 产能制约，可提升 SK 海力士向英伟达等客户交付 HBM 的能力。

此外，三星电子计划通过逻辑代工 + HBM 内存 + 先进封装的全流程“交钥匙”方案与 SK 海力士争夺 HBM 订单；

SK 海力士延长自身产品链也有助于减少三星电子对 HBM 业务的冲击。

SK海力士M16晶圆厂扩产在即，DRAM内存产能预计跃升18%

8月14日消息，SK海力士已作出战略举措，向其上游设备供应商下达了关键生产设备的订单，旨在增强M16晶圆厂的生产能力，特别是针对高带宽内存（HBM）及通用DRAM内存。这一举动预期将扩大其在内存市场的供应能力，满足不断增长的高性能计算和数据中心领域的需求。

注：SK 海力士 M16 晶圆厂位于韩国京畿道利川市，目前拥有每月约 10 万片 12 英寸晶圆的 DRAM 产能。

两家韩媒对具体扩产幅度的报道略有差异：《首尔经济日报》认为是至少每月 7 万片晶圆，也提到了每月 8 万片；有媒体则认为是每月 8 万~10 万片晶圆。

分析机构 Omdia 此前预估，SK 海力士 DRAM 内存产能将于本季度达到每月 44 万片晶圆，以每月 8 万片的扩产幅度计算，相当整体产能的 18.2%。

不同于在平泽工厂拥有大量空置面积的三星，SK 海力士在 2025 年 11 月清州 M15X 晶圆厂竣工量产前提升 DRAM 产能的唯二手段是充分利用利川 M16、M14 两厂的剩余空间与升级制程。

SK 海力士目标最早在本月完成下代 1c nm DRAM 内存的实验室测试，2025 年二季度启动 1c nm DRAM 试产，明年底在清州 M16 工厂启动相应设备安装。

SK海力士HBM内存受追捧：美股七大科技巨擘纷纷寻求定制合作

近日消息，SK海力士的HBM内存业务副总裁Ryu Seong-soo在最近的SK集团2024年度利川论坛上透露，众多国际科技巨头纷纷表达了意向，希望SK海力士能为其定制开发高性能的HBM产品。这表明SK海力士在高端存储解决方案领域的技术实力受到业内广泛认可，其HBM内存技术或将赋能更多前沿科技产品。

注：M7 即 Magnificent 7，指美股七大科技巨头苹果、微软、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英伟达、亚马逊以及 Meta。

Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不断工作，与 M7 企业进行电话沟通，并为满足这些企业的需求四处奔波以整合 SK 海力士内部和韩国各地供应链企业的工程资源。

这位高管认为，随着定制产品需求的增加存储行业即将迎来范式转变的临界点，SK 海力士将持续利用这些变化带来的机会发展其内存业务。

Ryu Seong-soo 还表示，随着 AI 市场的细分，SK 海力士未来不仅将继续提供面向大众市场的解决方案，还将推出性能可达现有型号 20~30 倍的差异化产品。

参考此前报道，SK 预计将在 2025 年下半年推出采用 MR-MUF 键合工艺的 12 层堆叠 HBM4 内存产品，而更高容量的 16 层堆叠 HBM 有望于 2026 年相关需求出现时发布。