SK海力士领先发布UFS 4.1闪存新品，采用创新V9 TLC NAND技术

8月9日消息，SK海力士在FMS 2024峰会上披露了一系列存储创新产品，亮点之一是预告了即将面世但具体规格尚未公开的USF 4.1通用闪存。此消息源自该公司昨日的官方新闻稿，揭示了SK海力士在存储技术前沿的最新动态，引发行业内外广泛关注。

根据 JEDEC 固态技术协会官网，目前已公布的最新 UFS 规范是 2022 年 8 月的 UFS 4.0。UFS 4.0 指定了每个设备至高 46.4Gbps 的理论接口速度，预计 USF 4.1 将在传输速率方面进一步提升。

SK 海力士此次展示了两款 UFS 4.1 通用闪存，容量分别为 512GB 和 1TB，均基于 321 层堆叠的 V9 1Tb TLC NAND 闪存。

而在 V9 NAND 闪存上，SK 海力士不仅有展示已公布的 1Tb 容量、2.4Gbps 速率 TLC ，还首度展出了容量业界领先的 3.2Gbps V9 2Tb QLC 以及 3.6Gbps 高速 V9H 1Tb TLC 颗粒。

回到 UFS 通用闪存领域，SK 海力士还展出了可提升数据管理效率的 ZUFS（分区 UFS，Zoned UFS）样品，均基于 V7 512Gb TLC NAND，可提供 512GB 和 1TB。SK 海力士此前表示其 ZUFS 4.0 产品将于今年 3 季度进入量产阶段。

SK海力士强化环保举措，采用氟气替换三氟化氮于芯片生产，引领绿色制造潮流

近日消息，SK海力士宣布了一项环保举措，即将在芯片制造的清洗流程中采用氟气（F2），此举旨在减少生产过程中的环境影响，推进半导体产业的绿色化进程。

SK 海力士 2024 可持续发展报告显示，该公司原先将三氟化氮（NF3）用于芯片生产过程中的清洗工艺，用于去除沉积过程中腔室内部形成的残留物，其全球变暖潜能值（GWP）显著高于氟气（NF3 的 GWP 为 17200，而 F2 为 0）。

除此之外，SK 海力士还进一步增加了氢氟酸（HF）的使用量（可用于低温蚀刻设备），该气体的 GWP 为 1 甚至更低，远低于过去用于 NAND 通道孔蚀刻的氟碳气体。

AI赋能企业级SSD市场激增：价格与需求双高涨，SK海力士加速扩产应对

8月20日消息，受人工智能服务器需求激增的驱动，企业级固态硬盘（SSD）市场见证了价格大幅上涨超过80%的态势。应对这一紧迫需求，SK海力士与其子公司Solidigm正紧锣密鼓地扩大NAND闪存的生产规模，力求稳定市场供应并抓住增长机遇。

AI 热潮持续升温，不仅带动了高带宽内存（HBM）芯片需求，如今也正在推动企业级 SSD 市场快速增长。AI 服务器存储的数据量呈指数级增长，企业纷纷抢购大容量 SSD，甚至不惜高价确保供应。

面对企业级 SSD 的旺盛需求，SK 海力士和 Solidigm 正优先扩大采用四层单元（QLC）技术的企业级大容量 SSD 的产能。

据报道，SK 海力士正在逐步增加其清州 M15 工厂的晶圆投入，目标是到 2025 年初将月产能提高约 10%。与此同时，Solidigm 也受益于 SSD 需求的突然激增，第二季度实现盈利，并计划在 2025 年初将产能提高约 5%。

据了解，QLC 技术能够在每个存储单元存储 4 比特数据，相比仅能存储 3 比特的 TLC 技术，可以存储更多信息，降低功耗，并提供更快的读写速度。因此，QLC 技术非常适合超高容量的企业级 SSD。

目前仅 Solidigm 和三星两家存储厂商能够生产基于 QLC 技术的企业级大容量 SSD。其中，Solidigm 凭借 60TB QLC 企业级 SSD 占据市场领先地位。业内专家表示，Solidigm 的 QLC SSD 在主控兼容性等方面具有优势，自第二季度以来供不应求。

SK 海力士计划在 2025 年初推出 60TB QLC 产品后，进一步扩大产品线，推出容量高达 128TB 的下一代产品，巩固其在市场上的地位。

SK海力士布局2.5D先进封装技术，强化HBM内存市场主导地位

7月17日消息，全球领先的存储解决方案提供商SK海力士与封装测试外包(OSAT)行业的领军企业Amkor展开深度合作洽谈，聚焦于先进硅中介层(Si Interposer)技术的联合开发。

SK 海力士将向 Amkor 一并供应 HBM 内存和 2.5D 封装用硅中介层，Amkor 则负责利用硅中介层实现客户逻辑芯片与 SK 海力士 HBM 内存的集成。

SK 海力士官方人士向韩媒回应称：“（谈判）目前仍处于早期阶段。我们正在进行各种审查，以提供中介层来满足客户的需求。”

硅中介层是性能优秀的 HBM 内存集成中介材料，被视为 2.5D 封装的核心。

韩媒表示，市面上仅有四家企业（台积电、三星电子、英特尔、联电）拥有制备硅中介层的能力，而前三家公司也因此成为了专业先进封装的领军者。

SK 海力士如果能实现硅中介层的量产，就意味着其能提供“HBM + 硅中介层”的成套供应，不再完全受台积电 CoWoS 产能制约，可提升 SK 海力士向英伟达等客户交付 HBM 的能力。

此外，三星电子计划通过逻辑代工 + HBM 内存 + 先进封装的全流程“交钥匙”方案与 SK 海力士争夺 HBM 订单；

SK 海力士延长自身产品链也有助于减少三星电子对 HBM 业务的冲击。

SK海力士推进中国无锡半导体工厂转型，启用第四代10纳米工艺提升产能

据了解，韩国芯片制造巨头SK海力士正在考虑打破美国对华极紫外（EUV）光刻机出口相关限制，以提升其在中国的半导体工厂的技术水平。

SK海力士计划今年将其中国无锡工厂的部分DRAM生产设备提升至第四代10纳米工艺。然而，对于“无锡工厂将进行技术升级”的消息，SK海力士方面表示“无法确认工厂的具体运营计划”。

这一举动被视为，随着半导体市场的复苏以及中国高性能半导体制造能力的提升，一些韩国芯片企业正在采取一切可以使用的方法来提高在华工厂的制造工艺水平。

据了解，无锡工厂是SK海力士的核心生产基地，其产量约占公司DRAM总产量的40%。目前，无锡工厂正在生产两款较旧的10纳米DRAM。

报道认为，SK海力士对无锡工厂进行技术升级并不容易，因为自2019年以来，美国为阻止中国半导体产业崛起，单方面限制了制造尖端半导体必需的EUV光刻机出口中国。

尽管如此，随着全球半导体市场进入复苏阶段，SK海力士认为高性能芯片产能扩张已经刻不容缓，需要10纳米级第四代DRAM或更高版本产品来维持其市场份额。

媒体分析称，SK海力士的这一举动反映了全球半导体市场的变化和中国半导体产业的快速发展。在全球半导体市场复苏的背景下，中国半导体产业的提升无疑将为全球半导体产业的发展注入新的活力。