台积电豪掷171.4亿新台币扩张版图：收购群创光电厂房及设施，强化产业链布局

近日消息，关于台积电计划收购群创南科四厂以拓展其先进封装业务的传闻，这表明台积电可能在进一步加强其在半导体领域的布局，通过并购来加速技术与产能的升级。此举措若实现，或将对全球半导体供应链产生重要影响，增强台积电在先进封装技术方面的领先地位。

台积电发布公告，宣布与群创光电签订合约，将购买对方台南市新市区环西路一段 3 号厂房及附属设施，建物面积达 317444 平方米。

此次交易总金额为 171.4 亿新台币（当前约 37.91 亿元人民币），取得标的将供营运与生产使用。群创光电补充称，交易包含台南市新市区新科段 416~424、498、504 等共 11 笔建号。

群创南科四厂到当地的台积电厂区仅需 5 分钟，未来可能用作先进封装厂房、先进制程在南科扩充时的弹性用地等。

台积电晶圆成本上扬，2025年价格调整或触及双位数增长

近日消息，全球领先的半导体制造商台积电正酝酿新一轮的价格调整策略，预计于2025年实施。面对不断攀升的生产成本，台积电计划对各类晶圆代工服务进行调价，涨幅预估将落在10%左右，此举旨在应对日益增加的运营开支，同时确保公司的盈利能力与市场竞争力。

据报告，由于消费电子和高性能计算领域对先进处理器的强劲需求，台积电有意提高其在 2025 年的整体晶圆价格。与人工智能和高性能计算客户（例如英伟达）的谈判表明，这些客户可以接受约 10% 的涨价幅度，例如 4nm 制程的晶圆价格可能从 18,000 美元左右涨到 20,000 美元左右。

因此，预计主要用于 AMD 和英伟达等公司的 4nm 和 5nm 制程的晶圆平均售价 (ASP) 将上涨 11%。这意味著对于部分客户而言，N4 / N5 制程的晶圆价格自 2021 年第一季度以来累计上涨约 25%。

报告称，尽管对智能手机和消费电子产品客户（例如苹果）提出涨价要求颇具挑战，但有迹象表明他们能接受适度的涨价。摩根士丹利预计，2025 年 3nm 制程晶圆的平均售价将上涨 4%。

虽然晶圆价格取决于最终协议和产量，但有业内人士认为，台积电 N3 制程的晶圆生产成本可能在 20,000 美元或以上，并且肯定会进一步上涨。摩根士丹利认为，企业应该能够将部分额外成本转嫁给终端用户。

与先进制程不同，由于产能充足，16nm 等成熟制程预计不会涨价。

为了让客户更愿意支付额外费用，摩根士丹利最近的供应链调查显示，台积电暗示其领先制程产能可能出现短缺，除非客户“认可台积电的价值”才能确保产能分配。

此外，摩根士丹利分析师认为，未来两年先进的 CoWoS 封装价格可能会飙升 20%。

2022 年，台积电将晶圆价格上调了 10%，2023 年又追加了 5%。展望未来，预计 2025 年还将会有 5% 的综合涨幅，以期帮助台积电的毛利率在 2025 年反弹至 53% - 54%。

台积电2nm芯片技术新突破，预计下周启动试产，或将首秀于iPhone 17系列

近日消息，作为苹果公司的主要芯片供应商，台积电（TSMC）即将迈入一个崭新的技术里程碑。据可靠消息来源，台积电计划于下周启动2纳米（2nm）制程技术的试产阶段，这标志着全球半导体行业向着更小、更快、更节能的芯片制造迈出了关键一步。

此次试产将在台积电位于台湾地区北部的宝山厂进行，用于 2nm 芯片生产的设备已于今年第二季度运抵该工厂。苹果预计将在 2025 年将其定制芯片转移到 2nm 制造工艺。

iPhone 15 Pro 使用的是采用台积电 3nm 工艺制造的 A17 Pro 芯片。这种工艺可以在更小的空间内封装更多的晶体管，从而提高性能和效率。

苹果最近发布的 iPad Pro 中使用的 M4 芯片采用了这种 3nm 技术的增强版。预计转向 2nm 制程将带来进一步的提升，预计性能将比 3nm 工艺提升 10-15%，功耗降低最高可达 30%。

台积电计划明年开始大规模生产 2nm 芯片，据悉该公司一直在加快这一进程，以期在量产前确保稳定的良品率，台积电目前仍然是唯一能够以苹果要求的规模和质量制造 2nm 和 3nm 芯片的公司。

对于其 3nm 芯片，苹果预定了台积电所有可用的芯片制造产能，并且台积电计划在年底前将该节点的产能增加两倍以满足激增的需求。2nm 芯片预计将率先应用于 2025 年的 iPhone 17 系列产品中。

台积电A14P制程蓄势待发：2028年预计引入High NA EUV光刻革新

近日消息，台积电预计将于2028年在其A14P制程技术中集成最新的High NA EUV光刻技术，这一革新之举预示着半导体制造领域将迎来又一重要里程碑。

台积电目前正式公布的最先进制程为 A16，该工艺将支持背面供电网络（BSPDN），定于 2026 下半年量产。从目前消息来看，在 A16 上台积电仍将采用传统的 Low NA (0.33NA) EUV 光刻机。

台媒在报道中表示，台积电在 A16 后的下一代工艺 A14 预计于 2026 上半年进入风险试产阶段，最快 2027 年三季度量产，该节点的主力光刻设备仍将是 ASML 的 NXE:3800E Low NA EUV 机台。

而在 A14 改进版 A14P 中，台积电有望正式启用 High NA EUV 光刻技术，该节点在时间上大致落在 2028 年。

台积电将在 2030 年后进入 A10 等更先进世代，届时会全面导入 High NA EUV 技术，进一步改进制程技术的成本与效能。

报道还提到，台积电已完成量产用 ASML High NA EUV 光刻机的首阶段采购。

而在研发用机台方面，ASML 此前已经披露，将在 2024 年内交付台积电的首台 High NA EUV 光刻机，价值达 3.8 亿美元（当前约 27.62 亿元人民币）。

台积电的先进代工竞争对手中，英特尔明确将在 Intel A14 节点使用 High NA 光刻；三星电子虽早已向 ASML 下单 High NA EUV 光刻机但未明确何时启用；Rapidus 的 High NA 节点至少也要等到 2nm 后。